结型场效应管(n沟道jfet)工作原理：
可将n沟道jfet看作带“人工智能开关”的水龙头。这就有三部分：进水、人工智能开关、出水，可以分别看成是jfet的 d极 、g 极、s极。
“人工”体现了开关的“控制”作用即vgs。jfet工作时，在栅极与源极之间需加一负电压(vgs<0)，使栅极、沟道间的pn结反偏，栅极电流ig≈0，场效应管呈现高达107ω以上的输入电阻。在漏极与源极之间加一正电压(vds>0)，使n沟道中的多数载流子(电子)在电场作用下由源极向漏极运动，形成电流id。id的大小受“人工开关”vgs的控制，vgs由零往负向增大时，pn结的耗尽层将加宽，导电沟道变窄，vgs绝/对值越大则人工开关越接近于关上，流出的水(id)肯定越来越小了，当你把开关关到一定程度的时候水就不流了。
“智能”体现了开关的“影响”作用，当水龙头两端压力差(vds)越大时，则人工开关自动智能“生长”。vds值越大则人工开关生长越快，流水沟道越接近于关上，流出的水(id)肯定越小了，当人工开关生长到一定程度的时候水也就不流了。理论上，随着vds逐渐增加，一方面沟道电场强度加大，有利于漏极电流id增加;另一方面，有了vds，就在由源极经沟道到漏极组成的n型半导体区域中，产生了一个沿沟道的电位梯度。由于n沟道的电位从源端到漏端是逐渐升高的，所以在从源端到漏端的不同位置上，漏极与沟道之间的电位差是不相等的，离源极越远，电位差越大，加到该处pn结的反向电压也越大，耗尽层也越向n型半导体中心扩展，使靠近漏极处的导电沟道比靠近源极要窄，导电沟道呈楔形。所以形象地比喻为当水龙头两端压力差(vds)越大，则人工开关自动智能“生长”。
当开关第/一次相碰时，就是预夹断状态，预夹断之后id趋于饱和。
当vgs>0时，将使pn结处于正向偏置而产生较大的栅流，破坏了它对漏极电流id的控制作用，即将人工开关拔出来，在开关处又加了一根进水水管，对水龙头就没有控制作用了。
绝缘栅场效应管(n沟道增强型mosfet)工作原理：
可将n沟道mosfet看作带“人工智能开关”的水龙头。相对应情况同jfet。与jfet不同的的是，mosfet刚开始人工开关是关着的，水流流不出来。当在栅源之间加vgs>0， n型感生沟道(反型层)产生后，人工开关逐渐打开，水流(id)也就越来越大。id的大小受“人工开关”vgs的控制，vgs由零往正向增大时，则栅极和p型硅片相当于以二氧化硅为介质的平板电容器，在正的栅源电压作用下，介质中便产生了一个垂直于半导体表面的由栅极指向p型衬底的电场，这个电场排斥空穴而吸引电子，p型衬底中的少子电子被吸引到衬底表面，这些电子在栅极附近的p型硅表面便形成了一个n型薄层，即导通源极和漏极间的n型导电沟道。栅源电压vgs越大则半导体表面的电场就越强，吸引到p型硅表面的电子就越多，感生沟道将越厚，沟道电阻将越小。相当于人工开关越接近于打开，流出的水(id)肯定越来越多了，当你把开关开到一定程度的时候水流就达到最/大了。mosfet的“智能”性与jfet原理相同，参上。
绝缘栅场效应管(n沟道耗尽型mosfet)工作原理：
基本上与n沟道jfet一样，只是当vgs>0时，n沟道耗尽型mosfet由于绝缘层的存在，并不会产生pn结的正向电流，而是在沟道中感应出更多的负电荷，使人工智能开关的控制作用更明显。

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