近年来加速发展起来的电子元器件的高速选择性镀银，如引线框架的选择性镀银，采用喷射镀的方法。所用的电流密度高达300～3000a/dm，镀液中氰银钾[kag(cn)2]的浓度 也高达40～75g/l，阳极采用白金或镀铂的钛阳极，这样在1s内即可镀上约4～5μm的银层，它已能满足硅芯片和银焊垫之间用铝线来键合(bonding)。
用二硫化碳做光亮剂并不能得到全光亮的银层，且加入镀液后要等一段时间才会发生作用，估计真正的光亮剂是二硫化碳与镀液中的cn一反应生成的取代尿素、硫脲、胍、硫化物、氰胺化物(cyanamide)及其他种硫化物中的某些化合物。
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